第一百一十章 提拉失败,设备出现严重问题

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    半导体硅片生产本身就难,如果这么轻易就解决,那就不需要100%依赖进口了,这是国产必须要经历的过程。
    翟勇这时也站出来,提高数倍音量道“石英坩埚重新加热到1450摄氏度保持,等待杨工程师计算出下次提拉速度。”
    “石英坩埚重新加热,已设定1450摄氏度保持!”
    “温度正在上升!”
    设备操控员重复说道,确认数值没有出错。
    而在另一边。
    工厂的某间办公室内。
    杨烈来到办公桌坐下,翻看沪硅集团失败的案例,并开始总结这次失败的经验。
    想拉大尺寸硅棒,需要计算提拉速度、硅溶液、母晶与辐射热量。
    先说提拉速度,单晶硅棒为什么可以提拉出来。
    这是因为母晶,也就是晶种放入硅溶液以后,硅溶液里的硅晶体会附着在晶种上。
    当它们附着时缓慢拉出,因为液体表面的温度下降,会由液态转变为固态。
    这个现象就好比在极寒地区,屋内是23摄氏度,而外面是零下二十几度,当你拿着水枪往屋外喷水时,喷射的水柱接触到外面的冷空气会瞬间凝结成冰。
    单晶硅棒的提拉法,操作原理亦是如此。
    至于想要拉多大尺寸,则是取决于拉升速度和旋转速度。
    旋转让四周硅晶体附着,拉升则是让附着的硅晶体冷却,期间还要多次调试拉升速度,不然后续会越发臃肿。
    但杨烈仔细算过了,两小时后才需要调整提拉速度,这才一小时不到的时间,为什么母晶会断,附着太多硅晶体了?
    他总结经验的同时,不断翻看沪硅集团的失败总结,可接连几次的计算,得出的结果还是提拉速度为每分钟3毫米。
    “难道是提拉速度太慢了,调整到4毫米试试?”
    杨烈继续计算。
    他觉得是提拉速度太慢了,导致晶种附着的单晶硅太多,从而拉崩断了母晶。
    提拉速度上升的话,附着的单晶硅就会减少。
    想到这。
    他连忙返回作业区域。
    而陈星见杨烈这么快回来,立即询问道“已经找到解决方案了?”
    “暂时不确定是不是提拉速度的问题,还需要进一步实验。”
    杨烈快速回答道。
    他现在脑子很乱,有些怀疑自己的技术。
    在他数次计算下,每分钟提拉速度是3毫米,可偏偏3毫米又把晶种给拉断。
    目前他猜测三种情况。
    一、提拉速度太慢,导致晶体附着过多,超出了原本的14寸,可能达到了20寸以上,晶种才会承受不住压力断开。
    二、晶种纯度不够,杂质破坏了单晶硅面,硅晶体附着时,出现了空隙。
    三、设备问题。
    后两种情况,杨烈相信魏华韩铭的硅石提炼技术,也相信愿意陈星带来的设备没问题,所以他并没有去怀疑,而是认为自己可能是初次计算错误。
    可六个小时后,石英坩埚炉确实提起来了一根单晶硅棒,直径却只有10寸,如果算上抛光打磨,最终只能作出8寸半导体硅片。
    “为什么会这样?”
    杨烈摸不着头脑,他又指挥下一次的提拉单晶硅棒,重新把速度调回3毫米每分钟。
    然而…
    又是一小时不到。
    “嘣——”
    晶种连接处再次断裂,提拉出来的单晶硅重重砸进硅溶液,发出一声闷响。
    熔炼。
    提拉。
    崩断。
    杨烈尝试了数次,陈星也没有离开硅工厂,而是与硅片工程师们同吃同住。
    在经历了数次参数调整,时间也过去了三天,杨烈胡渣邋遢,还在计算哪里不对,这位老实人根本没去想机器和纯度的问题。
    提纯人才韩铭看不下去,也试着帮忙寻找问题。
    当他拿着单晶硅碎块去检测,瞳孔猛然收缩,立马吆喝道
    “有问题!提纯出问题了!单晶硅纯度仅为999999%,6n,这是工业级,不是半导体级别!”
    声音传遍工厂,让负责提纯的魏华都愣住了。
    6n?
    怎么可能!
    当初他们已经测过了,明明是11n的纯度!
    多晶硅11n,单晶硅怎么可能是6n,这里面就一个熔炼提拉,除非掺杂出现了错误?
    负责掺杂的翟勇更是懵逼,他也没掺杂杂质啊,他掺杂的是磷,增加硅片导电性的磷!
    陈星也听见了韩铭的吆喝,立马将他喊住道“韩工,到底是怎么回事?不是说11n多晶硅熔炼提拉就会得到单晶硅吗?”
    “我也不清楚,但我上检测设备检测了,单晶硅里面杂质,铁铝等杂质颜值超标,完全达不到11n的标准!”
    韩铭长话短说。
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