91书院(91shuyuan.com)更新快，无弹窗！
示前三天几乎没怎么睡，把所有和功耗相关的仿真数据重新跑了一遍，确保每一毫瓦的功耗来源都能追溯到具体的电路模块和物理机制。「天权6号全工况实测功耗46.3瓦，距目标功耗45瓦差1.3瓦。这1.3瓦的差额由先进封装散热方案覆盖，封装基板热阻余量已经过仿真验证，结温在全部工况下均控制在安全范围内。」她翻到功耗分解图，屏幕上出现了三根不同颜色的柱状图，分别标注着三个泄漏源的精确定位数据——异构互联总线瞬时电流尖峰丶GPU核动态功耗在极端负载下的非线性上翘丶以及片上存储器读写操作的静态漏电。「三个泄漏源中，第一个由物理时钟偏斜方案在物理设计层面压制——分通道时钟偏斜将总线事务的开关电流峰值在时间轴上均匀分布，尖峰基础值从58瓦压低到52瓦。第二个和第三个由小芯AI预调度模型和自适应偏置校准电路协同处理——预调度模型在125度极限温度下的预测准确率已从83.7%恢复到91.2%，推理延迟从3.2纳秒压缩到2.5纳秒，覆盖了从52瓦到46.3瓦的全部剩余削峰需求。」
赵静坐在台下第一排。她没有上演示台，但她的预调度模型重新训练成果正在大屏幕上被张京京逐项讲解。极限温度测试用的五百颗天权4号晶片在三周内完成了全温度梯度扫描，追光四期三台并行测试设备加上外部租赁的两台设备一共跑了超过一万两千小时的累计测试时长。赵静在测试数据回传的第一周用前一百颗晶片的数据做了首轮预训练，准确率恢复到了百分之八十七点三；第三周五百颗数据全部到齐后，准确率推到了百分之九十一点二。剩下百分之八点八的误差集中在晶片个体差异和极端工艺角组合上，这些误差在物理时钟偏斜方案的压制下不会导致峰值超标。
林薇在演示的第二部分展示了封装国产化试点的进展。屏幕上出现了恒芯集成试产线首轮流片验证的矽通孔阵列剖面显微照片——一排排矽通孔从晶片有源层垂直穿透矽衬底，通孔侧壁的粗糙度在厂务振动改造后稳定在了十五纳米以内。微凸块的高度均匀性数据以直方图的形式显示，标准差控制在了凸块直径的百分之一点二以内。再分布层介质层的厚度偏差在合工热工国产固化炉投入使用后从正负0.21微米压缩到了正负0.12微米，优于天权6号设计允许的正负0.15微米。「恒芯试产线十七项差距已关闭十四项，剩余三项全部进入解决方案落地阶段。首轮流片验证的五片晶圆全部通过了热循环丶热冲击和高温高湿老化三项初步可靠性测试——详细的老化测试需要六个月连续运行才能给出统计学显着结论，但首轮数据表明封装工艺窗口已经闭合，矽通孔间距稳定在6.3微米，正在向6微米逼近。」
孟总坐在台下。林薇在演示中念到了他的名字——恒芯集成封装试产线技术团队——时，他下意识地直了直腰。恒芯的先进封装试产线从一家找不到客户的民营封测厂，到承担天权6号国产封装方案首轮流片验证，只用了不到三个月。这个速度放在国际封装行业的常规节奏里是离谱的，但在未来科技的战时推进模式下，三个月的每一个周末都被排满了工艺调试任务。孟总在演示结束后对方敏说了一句话：「我们是民营企业，规模小，底子薄，但我们用三个月证明了民营封装厂能干先进封装。」
梁志远展示的是天权6号从版图数据到制造端的工艺匹配情况。屏幕上的表格列出了天权6号全部工艺参数的规格要求丶追光四期产线的实际工艺能力以及两者之间的差距分析。表格的最后一列标注了每一项差距的关闭方案和时间节点。「天权6号的目标工艺节点对离子注入片内均匀性的要求比天权4号严苛零点六倍。追光四期现有国产离子注入机在并行验证中积累的片内均匀性数据为标准偏差百分之零点八，距天权6号要求的百分之零点四还有一倍差距。」他翻到离子注入机国产替代方案的改进进度表，「国产供应商在收到我们提供的天权6号离子注入工艺窗口指标后，已完成了离子源灯丝的国内替代方案首轮注入剂量均匀性专项验证——国产灯丝在三千小时加速寿命测试中表现与进口灯丝持平。片内均匀性的提升方案分两步：第一步优化离子源磁场分布，目标将片内均匀性压缩到百分之零点五五，预计四周内完成；第二步升级注入腔体静电扫描系统，目标百分之零点四，预计在追光五期新设备出厂前完成预调。」
台下的韩副司长听到这里时翻开笔记本，在之前记录的首台套试用专项基金旁边加了一行字：「离子注入机国产化进度可纳入首台套基金优先评审序列。」
演示进入第三部分时，章宸把大屏幕切换到天权6号的开发全流程数据追溯系统。这是一套基于天枢OS数据治理框架搭建的工程数据管理平台，将天权6号从架构定义丶RTL设计丶功能验证丶逻辑综合丶物理设计丶时序签核到交付代工厂的全