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陈醒在造芯学院毕业典礼后的第四天，收到了一份从国家部委发来的非正式函件。函件的措辞很谨慎，但核心意思很清楚：有关部门正在编制下一个五年的集成电路产业技术路线图，希望未来科技作为民营企业的代表，提供在先进位造丶封装和人才培育三个领域的实际推进数据，作为路线图编制的参考依据。
这不是第一次有部委来找未来科技要数据。但这一次的时间节点和函件中隐含的政策信号，让陈醒意识到事情正在发生质变。他让章宸把函件转发给梁志远和老韩，附了一条批示：「这不只是数据提交，这是一次产业政策游说的窗口。我们要提交的不只是一堆数字，而是一套能说服决策层把国产化替代从『鼓励方向』变成『刚性约束』的完整逻辑。」
梁志远收到批示时正在合城二期厂房里盯着第三代刻蚀设备的量产稳定性数据。他放下手里的工艺参数表，用一个下午的时间整理出了一份追光产线国产化进度的详细报告。报告的核心数据只有三组，但每一组都直接对应着当前国内半导体产业链最薄弱的环节。
第一组数据是设备国产化率。追光四期目前的设备国产化率是百分之六十二，其中刻蚀丶沉积和检测三个工序的国产设备占比超过了百分之七十，但光刻和离子注入两个工序仍以进口设备为主。追光五期规划中，离子注入机已确定替换为国内供应商，国产化率目标将提升至百分之七十二。但光刻设备仍是硬骨头——国产光刻机的工艺节点与天权系列晶片的需求之间还差着两代的技术代差。
第二组数据是材料国产化率。矽片丶光刻胶丶抛光液和离子注入气体四种核心材料中，矽片的国产替代已完成了中试验证，光刻胶的中试线正在推进中但尚未投产，抛光液的国产替代方案还在实验室阶段，离子注入气体的国产化率倒是已经到了百分之九十五——这是最容易的一项。
第三组数据是良率。追光四期在全面导入国产替代零部件后，良率从百分之九十六点二经历了短暂下降后重新稳定在百分之九十五点八。这两个多百分点的差距，根源在于国产材料和进口材料在批次稳定性上的系统性偏差。这个偏差不是靠设备调参能解决的，需要材料供应商从原材料的纯化工艺开始做全流程优化。
梁志远在报告的结论部分写了一句话：「国产化替代走到今天，单点突破的阶段已经过去了。现在卡脖子的不是某一台设备或某一种材料，而是一个从原材料纯化丶到设备精度丶到工艺参数匹配丶再到质量检测标准贯通的完整产业生态。这个生态的构建，需要国家层面的产业政策把『国产化率』从考核指标升级为市场准入条件——让使用国产设备和材料的企业在政策端获得实实在在的竞争优势，而不是仅仅在道德上获得掌声。」
老韩在梁志远报告的基础上加了一份附件，专门讲追光五期的投资回报逻辑。追光五期总投资三十五亿元，如果全部使用进口设备，设备采购成本在二十亿元左右，交货周期十四到十八个月，建设周期总计二十四个月。替换国产离子注入机后，设备采购成本下降百分之十二，交货周期压缩到七个月，建设周期总计二十个月。多出来的四个月产能爬坡时间，按天权系列晶片的市场售价和毛利率计算，能提前贡献的营收超过八亿元——这八亿元足以覆盖国产设备在部分精度指标上与进口设备的差距所带来的良率损失。
「产业政策游说的核心不是要补贴，而是要时间。」老韩在附件末尾写道，「国产设备的性能追赶需要时间，但只要政策端给国产设备一个公平竞争的市场窗口，企业端的采购行为就会自然向国产方案倾斜。三十五亿的投资方案摆在帐面上，哪条路更划算，不用任何人来教。」
陈醒把梁志远的报告和老韩的附件合在一起，做了一份精简版的产业政策建议书。建议书没有用任何技术黑话来修饰，核心诉求只有三条：第一，国家在下一个五年的集成电路产业技术路线图中，将半导体制造设备和核心材料的国产化率纳入新建产线的审批前置条件，国产化率低于百分之五十的新建产线不享受产业政策优惠；第二，设立专项产业基金，定向支持国产半导体设备和材料的首台套试用和首批次采购，降低下游企业试用国产方案的风险成本；第三，将封装环节纳入集成电路产业政策的重点支持范围，封装国产化与晶片制造国产化享受同等的政策待遇。
第三条是林薇加进去的。她在封装国产化试点推进中亲身体会到了一个现实：国家现有的产业政策对晶片制造环节的支持力度最大，对封装环节的支持力度明显偏弱。但天权6号的先进封装国产化试点已经证明，封装环节的国产化难度并不比制造环节低——恒芯试产线上的矽通孔刻蚀机丶微凸块曝光机和再分布层固化炉，每一项设备的技术攻坚都不亚于追光产线上的同类设备。如果产业政策不能把封装和制造放在同等重要的位置上，封