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梁志远在合城二期厂房的洁净通道尽头站了整整四十分钟，看着第三代刻蚀设备的反应腔在等离子体辉光中完成第十二片晶圆的刻蚀工序。他手里拿着的那份试产流程追踪表，每一个工艺步骤的完成时间都用蓝色原子笔标注在格子里——蓝色是他刻意选的，因为红色代表问题，蓝色代表进度。十二个格子里已经填满了八个，剩下四个分别对应薄膜沉积丶离子注入丶金属互连和最终检测。
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这是追光四期产线上第一批全部使用国产替代零部件的十二英寸晶圆。从气体纯化系统的在线精密过滤器，到薄膜沉积设备的国产真空计，再到刚刚完成陶瓷封装运放替换的零点漂移闭环验证——每一个环节的设备和零部件供应商名录都被梁志远用不同颜色的标签标注在产线流程图上。绿色标签代表国产供应商已通过验收，黄色代表国产替代方案已完成验证但尚未大规模量产，红色标签只剩下三个：光刻胶丶离子注入机离子源灯丝和金属互连工序的化学机械抛光液。
「第四道工序完成，薄膜沉积厚度偏差正负零点三纳米，在工艺窗口内。」丁勇的声音从对讲机里传来，背景里能听到薄膜沉积设备控制面板的按键音。国产真空计在陶瓷封装替换后的稳定性数据已经连续运行了八天，零点漂移在前十五分钟的波动被压到了进口型号的同等水平。丁勇在昨天提交的国产真空计最终验收报告上写了一句评价：「所有技术指标达到进口替换标准，封装应力问题已关闭。」
梁志远在对讲机里确认了薄膜沉积的结果，然后在试产流程追踪表的第九个格子里画了一个圈。他画圈而不是打勾，是因为薄膜沉积之后还有一道最关键的工序——离子注入。这道工序使用的离子注入机是国内供应商替换进口型号的核心设备，也是追光五期投资方案中老韩力主从北洲进口改为国内采购的那一款。追光四期现有产线上的这台国产离子注入机已经并行验证了六个月，累计处理晶圆超过三千片，性能数据与进口型号的差距从一年前的百分之十五缩小到了百分之五以内。但今天是它第一次在全部国产化替代的晶圆上执行注入工序——没有进口设备的备份兜底，没有北洲供应商的技术支持热线随时待命，只有国内供应商派驻合城的两名驻厂工程师和追光设备工程团队自己的工艺参数调试记录。
「离子注入工序准备就绪，注入剂量和能量参数已按天权4号工艺设计套件预设。」国产离子注入机的驻厂工程师姓郭，三十岁出头，是这家国内半导体设备厂商培养的第一代工艺应用工程师。他把注入参数的最终确认清单递给梁志远，清单上的每一项参数后面都附着了这台设备在过去六个月里同类注入的工艺稳定性数据——标准偏差丶片内均匀性和片间重复性三项指标全部用控制图的形式标注了上下限。
梁志远逐项签了字，然后问了一个问题：「如果注入剂量偏差超出工艺窗口，最可能的根因是什么？」
「离子源灯丝。」郭工没有回避这个风险，「我们这台设备的离子源灯丝目前用的还是进口型号。国内替代灯丝已经在供应商的实验室里完成了三千小时的寿命测试，但还没在追光四期的产线上做过实际工况验证。进口灯丝的稳定性经过全球产线的验证，国产灯丝还差这最后一公里。今天这批晶圆用的是进口灯丝，所以风险可控。但下一批如果换国产灯丝，需要单独做一次注入剂量均匀性的专项验证。」
梁志远在笔记本上记了一笔：「国产离子源灯丝——注入剂量均匀性验证——排期。」这笔记录会进入产业链高风险项台帐，编号排在光刻胶和抛光液之间。他抬头看了一眼离子注入机的控制面板，注入腔体内的晶圆正在高真空环境中接受掺杂剂的轰击，整个过程不到三分钟，但这三分钟决定的是晶片的电性能参数能不能达到设计规格。
注入工序完成后，晶圆被自动传输到金属互连工序的缓冲区。这道工序使用的化学机械抛光液是追光四期目前仍在依赖进口的三种核心耗材之一，另外两种是光刻胶和离子注入机离子源灯丝。国产抛光液的替代方案已经在昆仑基金二期的一个课题中立项，由国内一所化工大学的课题组与追光设备工程团队联合研发，目前进展到中试放大阶段，预计三个月内能在追光四期的产线上做首次小批量验证。但这批试产晶圆用的还是进口抛光液——不是国产方案不够快，而是金属互连工序的工艺窗口太窄，任何耗材的替换都需要至少三个月的并行验证周期。
「金属互连工序完成，片内电阻均匀性偏差正负百分之一点二，符合规格。」追光四期的工艺主管在对讲机里报出了最后一个工序节点的数据。晶圆随后进入在线检测自动化站台，光学检测模块的缺陷识别算法在零点