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心难点。”
他快速画出几条连接线，“薄膜沉积要求的关键在于材料的均匀性和精度，而纳米掺杂则是如何在原子级别进行精确控制。”
“对。”汪怀君立刻接话。
“薄膜沉积技术的挑战，主要集中在ALD（原子层沉积）与CVD（化学气相沉积）之间的选择。ALD技术在沉积厚度和均匀性上更具优势，但它的沉积速率偏低；而CVD则相对较快，但沉积过程中容易出现杂质。”
“嗯，这两个技术路线是我们必须权衡的。”李凡低头沉思，“不过，ALD技术的沉积精度高，符合10nm制程的要求，这一点非常重要。”
汪怀君略微点头：“没错，ALD技术的优势在于，能够在每一层原子级别上控制沉积，特别适合超小尺寸工艺的要求。”
“这条技术路线，不仅需要设备的突破，还需要材料的创新。”李凡顿了顿，眼神闪烁。
“我们要考虑的，不仅是制造工艺的成熟度，还有如何通过创新，提升材料本身的质量，才能达到最佳的性能。”
此时，方东河走进会议室，他手里提着一叠资料，脸上带着一种亟待解决问题的表情。
“李总，关于薄膜沉积的材料，我们最近也进行了多项实验，发现了一些有趣的结果。尤其是在沉积前处理工艺上，使用特定的化学气体，能够显著提高沉积的质量。”
李凡眼睛一亮：“说说看，具体是什么化学气体？它对材料沉积有什么影响？”
方东河把资料放到桌上，翻到一页：“我们尝试了几种不同的气体组合，发现氟化氢气体能够有效清洁基底表面，并增强薄膜的附着力。”
“这一技术可以在沉积过程中，可以避免杂质的影响，从而提高膜层的均匀性和质量。”
李凡眉头一挑：“这倒是个不错的思路。继续深化实验，看看能否将这种前处理工艺与ALD技术结合，形成一套完整的解决方案。”
方东河点头：“好的，我们会立刻着手实施。”
接下来，讨论进入了第二个关键领域：纳米级掺杂技术。
“关于掺杂技术的突破，我们目前面临的最大挑战，是如何在纳米级别进行原子级精度的掺杂。”汪怀君再次开口。
“传统的掺杂方法，已经无法满足10nm节点的需求，必须依赖极为精密的设备和技术。”
李凡深深地看了他一眼：“原子级精度，难度确实不小。根据我的理解，常规的掺杂技术，如扩散掺杂法和离子注入法，面对10nm节点的精度要求，已经捉襟见肘。”
“对。”汪怀君摊开手，“离子注入法虽然能精确控制掺杂浓度，但难以精确控制掺杂的深度和位置；而扩散法，则存在无法精确控制掺杂深度的问题。”
“那我们有没有其他的解决办法？”李凡眯起眼睛，问道。
“有一个思路，就是利用原子层掺杂（AtomicLayerDoping，ALD），这种方法可以在原子层级别上对材料进行精准掺杂。”汪怀君介绍道。
“通过原子级别的精密控制，我们可以实现对半导体材料中掺杂元素的精准控制，做到深度、浓度的双重精准。”
“如果这一技术能够成功应用，我们将能够实现对晶体管导电性和阈值电压的精准调控，极大提升10nm节点的性能。”
“非常好。”李凡语气坚决，“接下来，我们要集中精力，攻克这两项技术突破——薄膜沉积和纳米级掺杂。”
“通过实验验证，确保每一项技术，都能够在我们控制的范围内实现稳定。”
他转身面对整个团队，目光坚定：“我们的目标不仅仅是追赶，更是要超越。在这些技术领域，我们要做到‘弯道超车’，不仅仅追赶世界先进水平，更要超越它。”
“没错，李总！”汪怀君的语气愈发激昂，“我们要超越，不能仅仅满足于‘跟着走’，我们要做的是引领！”
会议室的气氛瞬间充满了斗志与决心，每个人的眼神中，都闪烁着对未来的信念和对技术突破的渴望。
李凡站在窗前，再次望向远方，心中对未来的愿景更加清晰。
“汪怀君、方东河，你们和实验团队立刻行动起来，将我们今天的讨论落实到具体的技术研发和实验计划中。”李凡语气坚定，步伐也不再犹豫。
“是，李总！”汪怀君和方东河齐声回答，脸上洋溢着对挑战的渴望。
“同时，我们要同步加强与设备厂商的合作。”李凡顿了顿，眼神更为锐利。
“与华力微电子的合作，必须加快进度。同时，做好设备采购的调研，确保每一台关键设备都能在最短时间内到位。”
汪怀君微微一笑：“李总，这一路走来，我们已经积累了不少经验，设备采购和技术引进都在有序推进中。接下来，只需要我们全力以赴，